レーザ照射装置並びに半導体装置の作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-390829
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244213
出願日： 2000年12月22日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】半導体膜にレーザアニールを施した時に観察される淡い干渉を低減するための光学系を提供する。【解決手段】レーザビームを本発明のミラー1006を含んだ光学系を用いて半導体膜に照射することで、これまで見られた淡い干渉を低減することが出来る。本発明のミラーは、レーザビームを分割して、分割した前記レーザビームのレーザ発振器から照射面までの各々の光路差を前記レーザビームのコヒーレント長以上にし、かつ、前記照射面におけるレーザビームのエネルギーの均一化を行なう。そのため、本発明のミラー1006を経て半導体膜に照射すると、これまで見られた淡い干渉を低減することが出来る。また、これまで調整の難しかった光学系を簡素化することが出来る。

請求項（抜粋）：

レーザ発振器と、光学系と、少なくとも一方向に動くステージを有するレーザ照射装置であって、前記光学系は、レーザビームの第1方向において、前記レーザビームを前記第1方向に分割し、かつ、照射面または前記照射面の近傍で混合して、前記照射面における前記レーザビームのエネルギーを均一化する光学系1と、前記レーザビームの第2方向において、前記レーザビームを該レーザビームの前記第2方向に分割する光学系2と、分割された前記レーザビームを前記照射面または前記照射面の近傍で混合して、前記照射面における前記レーザビームのエネルギーを均一化する光学系3と、を有し、前記第1方向と前記第2方向は前記レーザビームの進行方向に対して互いに直交し、前記光学系1は、分割された前記レーザビームの前記レーザ発振器から前記照射面までの各々の光路差を、前記レーザビームのコヒーレント長以上にする手段を有することを特徴とするレーザ照射装置。

IPC (7件)：

H01L 21/268 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 , H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 21/268 J , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 Z , H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭63-040694
レーザ光学系およびレーザ溶接装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-133738 出願人：トヨタ自動車株式会社
特開平3-286518

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