導電性薄膜材料及びこれを用いた薄膜トランジスタ用配線

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大前要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-037632
公開番号（公開出願番号）：特開2000-235961
出願日： 1999年02月16日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：

【要約】【課題】大面積の表示装置やメモリ集積回路に用いられる薄膜トランジスタ用に低コスト且つ、電気抵抗、耐ヒロック発生性の面から優れた導電性薄膜材料を提供する。【解決手段】電極の主材料のAlに、添加物としてZr,Hf,Cu,Ti,Mo,W,Fe,Cr,Mn等の金属元素とSi,Geなどの半導体系元素とを所定量づつ添加して、高温プロセスにおけるヒロック発生を防止する。

請求項（抜粋）：

Alと固溶もしくは結合して合金を形成してヒロックやボイドの発生防止を行う半導体系元素と、Al合金の結晶粒界に偏析してヒロックやボイド発生を防止する金属元素とを含むことを特徴とするAlを主成分とする導電性薄膜材料。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 , G02F 1/136 500 , H01L 21/3205 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 21/28 301 L , G02F 1/136 500 , H01L 21/88 M , H01L 29/78 617 M

Fターム (57件)：

2H092HA06 , 2H092JA24 , 2H092JA37 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA10 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA13 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092NA29 , 2H092PA01 , 4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB14 , 4M104BB38 , 4M104BB39 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD55 , 4M104DD79 , 4M104FF13 , 4M104FF22 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 4M104HH03 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5F033HH09 , 5F033LL09 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033WW01 , 5F033WW04 , 5F033XX16 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE06 , 5F110EE11 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110HJ13 , 5F110PP03 , 5F110QQ04

引用特許：

審査官引用 (12件)

配線材料、金属配線層の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-048861 出願人：日本アイ・ビー・エム株式会社
特開平1-233737
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-154142 出願人：株式会社日立製作所

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