特許
J-GLOBAL ID：200903066306704741
配線材料、金属配線層の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-048861
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250494
出願日： 1995年03月08日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】電気抵抗が10μΩ・cm以下、好ましい実施例では5μΩ・cm程度と極めて低く、かつ、高温においてヒロック・ピンホール等の欠陥が発生しない配線材料であって、陽極酸化法によって強固な酸化膜を形成可能なものを得ること。【構成】その組成式がAlx(MyN1-y)1-xで表され、Mは希土類元素群から選択された少なくとも一の元素であり、NはNb,Zr,Taのいずれかから選択された少なくとも一の元素であり、x=98〜99.5原子%、y=0.1〜0.9を具備する組成を有する合金であって、爾後の熱処理によってAlと上記NまたはMで表される元素との金属間化合物をマトリクス中に析出させた。また、このほかにNbをAlに対して0.5〜2.0原子%添加した合金でも同様の目的を達成可能である。熱処理温度はいずれも250〜450°Cの範囲が望ましい。
請求項（抜粋）：
その組成式が実質的にAlxM1-x(Mは希土類元素群から選択された少なくとも一の元素、x=98〜99.5原子%)で表され、前記希土類元素の一部をNb,Zr,Taのいずれかから選択された少なくとも一の元素で置換したAl系配線材料であって、250°C〜450°Cで熱処理を施したもの。
引用特許：
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