特許

J-GLOBAL ID：200903095519426656

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 青木 英雄 ,  福田 直樹 ,  齋藤 達之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-154142
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003890
出願日： 1997年06月11日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】【課題】 低配線抵抗などの高性能でしかも高信頼度のアルミニウム合金層を備えている配線層を有する半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 アルミニウム合金層14の下部に、チタンが70〜95%含まれているチタンリッチな窒化チタン膜13が形成されている配線層16を有するものである。

請求項（抜粋）：

配線層として、アルミニウム合金層の下部に、チタンが70〜95%含まれている窒化チタン膜が形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 R ,  H01L 29/78 301 X

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭63-174319
  
• 配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-300537   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-039640   出願人：富士通株式会社
• 特開昭63-174319
  
• 特開平4-229626