特許
J-GLOBAL ID：200903079819524980

ネガ型レジスト組成物

発明者：
安波 昭一郎

安波 昭一郎 について

, 
阿出川 豊

阿出川 豊 について

, 
白川 浩司

白川 浩司 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-096410
公開番号（公開出願番号）：特開2003-295438
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2003年10月15日
要約：
【要約】【課題】半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特に電子線又はX線を用いた半導体素子の微細加工において高感度、高解像性、良好なパターン形状、ラインエッジラフネス、現像欠陥の特性を満足するネガ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】(A-1)特定の繰返し単位を含有するアルカリ可溶性樹脂、(A-2)特定の繰り返し単位を含有するアルカリ可溶性樹脂、(B)酸の作用により樹脂(A-1)又は(A-2)と架橋する架橋剤、(C)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(D)含窒素塩基性化合物、を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。
請求項（抜粋）：
(A-1)下記一般式(1)で表される繰返し単位を含有するアルカリ可溶性樹脂、(A-2)下記一般式(2)で表される繰り返し単位を含有するアルカリ可溶性樹脂、(B)酸の作用により樹脂(A-1)又は(A-2)と架橋する架橋剤、(C)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、(D)含窒素塩基性化合物、を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。【化1】式(1)中、Aは水素原子、アルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表し、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基又はアルキルスルホニルオキシ基を表す。【化2】式(2)中、A、R1及びR2は、それぞれ一般式(1)のA、R1及びR2と同義である。但し、一般式(1)の繰り返し単位と一般式(2)の繰り返し単位が同じ構造であることはない。
IPC (4件)：
G03F 7/038 601 ,  C08F 12/22 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F 7/038 601 ,  C08F 12/22 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (20件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC17 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07P ,  4J100BA03P ,  4J100BA40P ,  4J100BB00P ,  4J100CA01 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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