薄膜形成装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-043629
公開番号（公開出願番号）：特開2003-247065
出願日： 2002年02月20日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】複数の膜形成用材料を一つの真空チャンバにより、高均一、高速に成膜することができかつ高品質な薄膜の形成ができる薄膜形成装置を提供する。【解決手段】プラズマ流のイオンを用いて複数のスパッタ源から膜形成用材料の粒子をスパッタリングにより飛散させ、基板上に薄膜を形成させる薄膜形成装置において、プラズマ発生手段は、電子サイクロトロン共鳴放電によりプラズマを発生させ、複数のスパッタ源は、ターゲットの回転対称軸が基板試料台の回転中心軸上で交わるとともに、回転試料台の回転中心軸に対して傾斜するように配置され、基板試料台は、ターゲットの回転対称軸と基板試料台の回転中心軸との交点が膜形成用試料基板に対してターゲットの反対方向に位置するように傾斜して回転させる回転手段と、基板試料台を上下に移動させる移動手段とを備える。

請求項（抜粋）：

真空容器と、この真空容器に、プラズマ生成用ガスを導入してプラズマによるプラズマ流を発生させるプラズマ発生手段と、前記プラズマ流と接触するように前記プラズマ流と同心的に配置された膜形成用材料からなるターゲットと、前記プラズマ流のイオンを用いて前記ターゲットから前記膜形成用材料の粒子をスパッタリングにより飛散させる手段を備える複数のスパッタ源と、前記膜形成用材料の粒子を飛散させている前記プラズマ流によって照射される膜形成用試料基板を載置固定する基板試料台とを有する薄膜形成装置において、前記プラズマ発生手段は、電子サイクロトロン共鳴放電によりプラズマを発生させ、前記複数のスパッタ源は、前記ターゲットの回転対称軸が前記基板試料台の回転中心軸上で交わるとともに、前記回転試料台の回転中心軸に対して傾斜するように配置され、前記基板試料台は、前記ターゲットの回転対称軸と前記基板試料台の回転中心軸との交点が前記膜形成用試料基板に対して前記ターゲットの反対方向に位置するように傾斜して回転させる回転手段と、前記基板試料台を上下に移動させる移動手段とを備えることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (3件)：

C23C 14/35 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (3件)：

C23C 14/35 F , H01L 21/316 Y , H01L 21/318 B

Fターム (12件)：

4K029CA13 , 4K029CA15 , 4K029DC16 , 4K029DC48 , 4K029EA00 , 4K029EA01 , 4K029JA01 , 5F058BA06 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF14 , 5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (6件)

特許第3208439号
特開平3-082757
多層光学薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-053028 出願人：キヤノン株式会社

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