有機EL表示装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：中島淳 , 加藤和詳 , 西元勝一 , 福田浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-119003
公開番号（公開出願番号）：特開2009-031750
出願日： 2008年04月30日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：

【課題】本発明の目的は、有機EL素子上に該有機EL素子を駆動するためのTFTを配した有機EL表示装置およびその製造方法を提供することにある。特に、高開口率が得られ、高精細、高輝度、高安定性、高信頼性、且つ高寿命のアクティブ型有機EL表示装置およびその製造方法を提供することである。【解決手段】基板上に少なくとも下部電極、少なくとも発光層を含む有機層、及び上部電極を順次有する有機EL素子を有する有機EL表示装置であって、前記上部電極上に少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極、及びドレイン電極を有し前記有機EL素子を駆動するTFTを形成し、前記活性層が酸化物半導体を含有することを特徴とする有機EL表示装置およびその製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも下部電極、少なくとも発光層を含む有機層、及び上部電極を順次有する有機EL素子を有する有機EL表示装置であって、前記上部電極上に少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極、及びドレイン電極を有し前記有機EL素子を駆動する薄膜電界効果型トランジスタを形成し、前記活性層が酸化物半導体を含有することを特徴とする有機EL表示装置。

IPC (7件)：

G09F 9/30 , H01L 51/50 , H01L 27/32 , H05B 33/10 , H05B 33/02 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (8件)：

G09F9/30 338 , H05B33/14 A , G09F9/30 365Z , H05B33/10 , H05B33/02 , H01L29/78 618B , H01L29/78 618Z , H01L29/78 618E

Fターム (85件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC02 , 3K107CC21 , 3K107CC35 , 3K107CC36 , 3K107DD17 , 3K107DD22 , 3K107DD23 , 3K107DD27 , 3K107DD28 , 3K107DD90 , 3K107EE04 , 3K107FF04 , 3K107FF14 , 3K107FF15 , 5C094AA05 , 5C094AA10 , 5C094AA31 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094DA06 , 5C094DA13 , 5C094EA06 , 5C094FB14 , 5C094GB10 , 5C094JA02 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD11 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG26 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG51 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110HM18 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN73

引用特許：

出願人引用 (2件)

有機エレクトロルミネセンス表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-052331 出願人：日本ビクター株式会社
非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325366 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

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