特許
J-GLOBAL ID：200903079845297615

スパッタリングターゲット用ZnO-Ga2O3系焼結体およびその製造方法

発明者：
高梨 昌二

高梨 昌二 について


出願人/特許権者：
住友金属鉱山株式会社

住友金属鉱山株式会社 について


代理人 (1件)： 鴨田 朝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-111089
公開番号（公開出願番号）：特開平10-297963
出願日： 1997年04月28日
公開日（公表日）： 1998年11月10日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 異常放電の発生がなく、安定して、特性の優れたZnO-Ga2O3系膜を成膜することができるスパッタリングターゲット用ZnO-Ga2O3系焼結体及びその製造方法の提供。【解決手段】 スパッタリングターゲット用ZnO-Ga2O3系焼結体は、Gaが固溶したZnO相が主な構成相である焼結体において、(1)焼結密度が5.2g/cm3以上、 (2)体積抵抗率が2×10-2Ω・cm以下、(3)平均結晶粒径が2〜10μm、かつ(4)最大空孔径が2μm以下である。上記ZnO-Ga2O3系焼結体は、(1)平均粒径が1μm以下の該酸化亜鉛粉末と、平均粒径が1μm以下の該酸化ガリウム粉末とを用い、(2)該成形を冷間で行い、(3)焼結温度を1300〜1550°Cとし、途中の1000〜1300°Cの温度範囲の昇温速度を1〜10°C/分として該焼結を行うことにより得られる。
請求項（抜粋）：
Gaが固溶したZnO相が主な構成相である焼結体において、(1)焼結密度が5.2g/cm3 以上、(2)体積抵抗率が2×10-2Ω・cm以下、(3)平均結晶粒径が2〜10μm、かつ(4)最大空孔径が2μm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット用ZnO-Ga2O3系焼結体。
IPC (3件)：
C04B 35/453 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34
FI (3件)：
C04B 35/00 P ,  C23C 14/08 C ,  C23C 14/34 A
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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