特許
J-GLOBAL ID：200903079854109651
絶縁膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-263807
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235535
出願日： 1994年10月27日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】【構成】 Si-N結合を有する有機Si化合物ガスを用いてプラズマCVDを行いSiN系絶縁膜4を成膜した後、N2 ガスやNH3 ガス等、分子内にN原子を含む後処理ガスの雰囲気下にてプラズマ処理を行い、SiN系絶縁膜4中に含有される炭化水素基成分を除去する。または、Si-N結合を有する有機Si化合物ガスとジメチルヒドラジンやフェニルヒドラジン等の有機窒素化合物ガスとの混合ガスを用いてプラズマCVDを行い、炭化水素基成分を除去しながら、SiN系絶縁膜4を成膜する。【効果】 ステップカバレージに優れ、且つ、炭化水素基成分の含有量が低減された絶縁膜が形成できる。このため、これをパッシベーション膜や層間絶縁膜の形成に適用すると、絶縁性が確保され、耐水性や耐蝕性にも優れたものとなり、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。
請求項（抜粋）：
シリコン原子と窒素原子との結合を有する有機シリコン化合物を用い、化学的気相成長法により基板上に絶縁膜を成膜する成膜工程と、分子内に少なくとも窒素原子を含む後処理ガスの雰囲気下にて、前記絶縁膜のプラズマ処理を行う後処理工程とを有することを特徴とする絶縁膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/318
, H01L 21/768
