特許
J-GLOBAL ID：200903034197567268
半導体発光素子の光放出端面の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-208780
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041586
出願日： 1996年07月19日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 SiC基板などの高価な基板を用いることなく、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子の光放出端面を劈開により形成することができ、電極取り出しを上下両面から行うことができ、半導体発光素子の動作にも支障を生じない光放出端面の形成方法を提供する。【解決手段】 C面サファイア基板1上にGaN系半導体層を多層に積層してレーザ構造を形成した後、その上にNi/Au膜7を形成する。(100)面方位のp型GaP基板8上にNi/Au/In膜9を形成する。Ni/Au膜7およびNi/Au/In膜9を介してC面サファイア基板1上のGaN系半導体層とp型GaP基板8とを接合する。その際、p型GaP基板8の劈開容易方向とGaN系半導体層の劈開容易方向とを一致させる。接合後、C面サファイア基板1を除去し、p型GaP基板8をその劈開容易方向に沿って劈開することによりGaN系半導体層を劈開して共振器端面、すなわち光放出端面を形成する。
請求項（抜粋）：
窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子の光放出端面の形成方法において、半導体発光素子を構成する窒化物系III-V族化合物半導体層をその一方の主面上に成長させた第1の基板の上記窒化物系III-V族化合物半導体層を、導電性中間層を介して、劈開性を有する第2の基板の一方の主面と接合し、その際上記第2の基板の劈開容易方向と上記窒化物系III-V族化合物半導体層の劈開容易方向とがほぼ一致するように上記第1の基板と上記第2の基板とを相互に位置合わせする工程と、上記第1の基板をその他方の主面側から除去または薄くする工程と、上記第2の基板をその劈開容易方向に沿って劈開することにより上記窒化物系III-V族化合物半導体層を劈開して光放出端面を形成する工程とを有することを特徴とする半導体発光素子の光放出端面の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
