半導体メモリ装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-292987
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139083
出願日： 1995年11月10日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】動作クロックのサイクルタイムを短縮し、パイプライン動作をより高速化した半導体メモリ装置を提供する。【解決手段】供給される入力アドレス信号を一時的に保持する入力レジスタ部と、入力レジスタ部から供給されるに入力アドレス信号に応答して該当するメモリセルを指定するアドレスデコーダ部と、データ信号を記憶する複数のメモリセルから指定されたメモリセルのデータ信号を読出すメモリセルアレイ部と、メモリセルアレイ部から出力されるデータ信号を増幅するセンスアンプ部と、センスアンプ部から出力されるデータ信号を一時保持する出力レジスタ部と、センスアンプ部から上記出力レジスタ部へのデータ転送に介在する追加レジスタ部と、を備え、メモリセルに記憶されているデータ信号をパイプライン動作で読出す。

請求項（抜粋）：

供給される入力アドレス信号に応答して該当するメモリセルを指定するアドレスデコーダ部と、指定されたアドレスのメモリセルにデータ信号を書込みあるいは指定されたアドレスのメモリセルからデータ信号を読出すメモリセルアレイ部と、前記メモリセルアレイ部から出力されるデータ信号を増幅するセンスアンプ部と、前記センスアンプ部から出力されるデータ信号を一時保持する出力レジスタ部と、を有し、更に、前記センスアンプ部から前記出力レジスタ部への前記データ信号の伝送経路の途中に設けられて、パイプライン動作を制御するクロック信号の周期短縮を可能とする追加レジスタ部を備える、ことを特徴とする半導体メモリ装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-303644 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴイエルエスアイ株式会社
特開昭64-072394
メモリ読み出し装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-198698 出願人：国際電気株式会社

前のページに戻る