半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：宮本恵司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-026783
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241464
出願日： 2003年02月04日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：

【課題】層間絶縁膜とのエッチング選択比が大きく、Cuの拡散防止機能に優れ、誘電率が低く、かつ、Cu配線との密着性に優れているバリア膜を有する半導体装置及びその製造方法の提供。【解決手段】配線又はビアとその上層の層間絶縁膜との間に配設するバリア膜(例えば、第2バリア膜6)を、シリコンと炭素と(好ましくはシリコンと炭素と窒素と)を含み、炭素の含有量の異なる複数の膜の積層構造とし、特に、下層に炭素の含有量の少ない低炭素濃度膜6aを設け、上層に炭素の含有量の多い高炭素濃度膜6bを設ける構造とすることにより、低炭素濃度膜6aでCuの拡散防止と高いエッチング選択比とCu配線との良好な密着性を確保し、高炭素濃度膜6bで誘電率の低減を図ることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ダマシン法で形成された配線又はビアを備える半導体装置において、前記配線又は前記ビアと、その上層の層間絶縁膜との間に、シリコンと炭素とを含み、炭素の含有量が相異なる複数の膜を積層したバリア膜が配設された構造を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L21/768

FI (2件)：

H01L21/90 M , H01L21/90 A

Fターム (65件)：

5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ03 , 5F033QQ04 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR21 , 5F033RR29 , 5F033SS03 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033WW00 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX05 , 5F033XX14 , 5F033XX20 , 5F033XX24 , 5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-070203 出願人：株式会社日立製作所
バイア充填材との適合性が改善されている集積回路構造における低誘電率のシリコン酸化物ベースの誘電層及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-322452 出願人：エルエスアイロジックコーポレーション
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-274426 出願人：東京エレクトロン株式会社

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