特許

J-GLOBAL ID：200903079920512713

発光素子

発明者： エアチャク、アレクセイ エイ. ,  リドリキス、エレフトリオス ,  ルオ、チャイヤン
出願人/特許権者： ルミナス ディバイシズ インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-509844
公開番号（公開出願番号）：特表2007-525817
出願日： 2004年04月08日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：

発光素子、及び関連部品、システム及び方法を開示する。

請求項（抜粋）：

n型材料層と、p型材料層と、そして光発生領域とを備えた、複数の材料の多層積層体と、 光発生領域が生成する光の少なくとも約50%の光を反射する機能を有する反射材料層であって、この少なくとも約50%の光が反射材料層に衝突する構成の反射材料層とを備え、 n型材料層の表面は、光発生領域が生成する光を、発光素子からn型材料層の表面を通して放出することができるように構成され、 前記n型材料層の表面は、パターンに従って空間的に変化する誘電関数を有し、 前記p型材料層と反射材料層との間の距離が、n型材料層と反射材料層との間の距離よりも短い、発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/022 ,  H01L 51/50

FI (3件)：

H01L33/00 N ,  H01S5/022 ,  H05B33/14 A

Fターム (22件)：

3K107AA01 ,  3K107CC05 ,  3K107DD51 ,  3K107EE33 ,  5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA98 ,  5F041CA99 ,  5F041CB15 ,  5F041DA44 ,  5F041EE23 ,  5F041EE25 ,  5F173AH22 ,  5F173ME30 ,  5F173ME32 ,  5F173MF03 ,  5F173MF28 ,  5F173MF40

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-047694   出願人：大同特殊鋼株式会社
• 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-120576   出願人：シャープ株式会社
• 窒化物半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-073311   出願人：日亜化学工業株式会社
• InXAlYGaZN発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-023885   出願人：アジレント・テクノロジーズ・インク

引用文献：

審査官引用 (1件)

• IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 200203, V8 N2, P321-332