特許
J-GLOBAL ID：200903034491849557
InXAlYGaZN発光素子及びその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 公久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-023885
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228537
出願日： 2000年02月01日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】InAlGaN発光素子製造の際に、比較的単純な方法で基板の除去を行う。【解決手段】InAlGaN発光素子(20)は、サファイア等の除去できる成長基板(30)上に成長される。反射性のオーム接触部(18)はそのp型InAlGaN層(20a)上に形成される。その後InAlGaN構造体を、InAlGaN発光層(20)とホスト基板(12)との間に挟まるボンディング層(16)の手段によりホスト基板(20)へとボンディングする。ボンディング層は、InAlGaN素子層側に設けられる第1のボンディング層(16a)と、ホスト基板(12)側に設けられる第2のボンディング層(16b)とを含む。ボンディングの後、サファイア成長基板(30)は、基板除去技術を使って除去され、その後それらのInAlGaN層がパターニング及びエッチングされて電流注入型発光素子が完成する。
請求項（抜粋）：
ホスト基板と;該ホスト基板に近接して第1及び第2の極性の素子層を含む前記InAlGaN発光構造体と;該InAlGaN発光構造体の一面の第1の素子接触部と;前記ホスト基板と前記InAlGaN発光構造体との間に挟まるウエハボンディング層と;そして前記InAlGaN発光構造体の他面に電気的に接続され、前記ウエハボンディング層中に位置する第2の素子接触部とを含むInAlGaN発光素子。
引用特許：
前のページに戻る
