特許
J-GLOBAL ID：200903083473813163
窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-120576
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318443
出願日： 2002年04月23日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：
【要約】【課題】 光の外部取り出し効率を向上させ、かつ素子の駆動電圧を低減させることのできる窒化物系半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 支持基板上に形成された反射層と反射層上方に順次積層されたp型窒化物系半導体層、発光層およびn型窒化物系半導体層とを含む窒化物系半導体発光素子であって、上記n型窒化物系半導体層上方に位置する光取り出し面に凹凸が形成されている窒化物系半導体発光素子およびその製造方法であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
支持基板上に形成された反射層と、反射層上方に順次積層されたp型窒化物系半導体層、発光層およびn型窒化物系半導体層とを含む窒化物系半導体発光素子であって、前記n型窒化物系半導体層上方に位置する光取り出し面に凹凸が形成されていることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
5F041AA03
, 5F041AA24
, 5F041CA05
, 5F041CA23
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA82
, 5F041CA92
, 5F041CB15
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AC01
, 5F045AC09
, 5F045AC12
, 5F045AD11
, 5F045AD12
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AF03
, 5F045AF04
, 5F045AF05
, 5F045CA11
, 5F045DA52
, 5F045HA04
