特許
J-GLOBAL ID:200903079925076156
基板処理装置および基板処理方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
振角 正一
, 梁瀬 右司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-060514
公開番号(公開出願番号):特開2009-054985
出願日: 2008年03月11日
公開日(公表日): 2009年03月12日
要約:
【課題】処理液で濡れた基板表面を低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、少ない低表面張力溶剤で基板表面を良好に乾燥させる。【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Wの回転速度が600rpmから10rpmに減速されてDIW液膜がパドル状に形成される。そして、DIW供給停止後、所定時間(0.5秒間)が経過してパドル状の液膜の膜厚t1がほぼ均一になるのを待って、IPAが基板表面Wfの表面中央部に向けて例えば100(mL/min)の流量で吐出される。このIPA供給によって、基板Wの表面中央部ではDIWがIPAに置換されて置換領域SRが形成される。さらにIPA供給から3秒が経過すると、基板Wの回転速度が10rpmから300rpmに加速される。これによって、置換領域SRが基板Wの径方向に拡大して基板表面Wfの全面が低表面張力溶剤に置換される。【選択図】図6
請求項(抜粋):
略水平状態の基板を第1速度で回転させながら処理液を用いて前記基板表面に対して湿式処理を施す湿式処理工程と、
前記基板の回転速度を第2速度に減速して前記基板上に前記処理液の液膜をパドル状に形成するパドル形成工程と、
前記基板の回転速度を前記第2速度以下に維持しながら、前記処理液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤を前記基板の表面中央部に供給して前記低表面張力溶剤による置換領域を形成する置換領域形成工程と、
前記低表面張力溶剤を前記表面中央部に供給して前記置換領域を前記基板の径方向に拡大させて前記基板表面全面を前記低表面張力溶剤に置換する置換工程と、
前記置換工程後に前記低表面張力溶剤を前記基板表面から除去して該基板表面を乾燥させる乾燥工程と
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
IPC (4件):
H01L 21/304
, H01L 21/027
, G11B 7/26
, G11B 5/84
FI (7件):
H01L21/304 651Z
, H01L21/304 643A
, H01L21/304 648G
, H01L21/30 570
, G11B7/26 501
, G11B7/26 521
, G11B5/84 Z
Fターム (39件):
5D112AA24
, 5D112GA08
, 5D121AA02
, 5D121BB31
, 5D121BB38
, 5D121DD05
, 5D121DD13
, 5D121GG18
, 5D121GG28
, 5D121GG30
, 5F046LB10
, 5F157AA73
, 5F157AA79
, 5F157AB02
, 5F157AB14
, 5F157AB33
, 5F157AB90
, 5F157AC02
, 5F157AC03
, 5F157AC24
, 5F157AC34
, 5F157AC35
, 5F157BB22
, 5F157BB52
, 5F157CB03
, 5F157CB13
, 5F157CB14
, 5F157CC02
, 5F157CE41
, 5F157CE59
, 5F157CF02
, 5F157CF04
, 5F157CF14
, 5F157CF16
, 5F157CF44
, 5F157CF60
, 5F157DB37
, 5F157DB45
, 5F157DC83
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
洗浄方法及びその装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-148606
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
-
特開平3-209715号公報(図1)
審査官引用 (2件)
前のページに戻る