特許
J-GLOBAL ID：200903079925720160
半導体レーザ装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-326962
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167877
出願日： 1995年12月15日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：
【要約】【課題】 電子が活性層からクラッド層へオーバーフローする問題が解決されており、温度特性が向上している半導体レーザ装置とその製造方法とを提供する。【解決手段】 p側クラッド層の禁制帯幅または双方のクラッド層の禁制帯幅が、活性層の禁制帯幅より少なくとも1.35eV大きくされている半導体レーザ装置と、これを製造するために、活性層より禁制帯幅が大きくしてあるp側クラッド層または双方のクラッド層を、基板接着法を使用して活性層上に接着する半導体レーザ装置の製造方法である。
請求項（抜粋）：
少なくともp側クラッド層の禁制帯幅が活性層の禁制帯幅より少なくとも1.35eV大きく、電荷が活性層中からクラッド層中にオーバーフローしにくゝ温度特性が向上していることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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