特許
J-GLOBAL ID：200903048878789871

半導体レーザおよびこれを用いた光センシング装置

発明者：
岩野 英明

岩野 英明 について

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横山 修

横山 修 について

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野村 浩朗

野村 浩朗 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-066823
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297498
出願日： 1995年03月01日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 太陽光の影響を受けにくい850nm以上で発振し、最高出力が50W以上の高出力半導体レーザおよびこれを用いた光センシング装置を提供する。【構成】 基板101上に積層したAlGaAs系半導体層SL、その上にストライプ状の電流注入領域112を有する電流狭窄層109および一対の端面反射膜120,121から成り、半導体層は第1導電型の第1クラッド層103、第1光導波路層104、量子井戸構造を有する活性層105と、第2導電型の第2光導波路層106、第2クラッド層107、コンタクト層108をこの順に積層形成する。活性層105は、1mm×1mmの単位領域で、凹凸が基準面に対し±0.1μm以下の平坦性を有し、電流狭窄層109の電流注入領域112の幅は100〜250μmで、共振器長は500〜1,000μmである。
請求項（抜粋）：
第1導電型の化合物半導体からなる基板、この基板の一方の面上に積層された半導体層、前記半導体層上に形成され、少なくとも1つのストライプ状の電流注入領域を有する電流狭窄層、および前記基板および前記半導体層の端面に形成された一対の端面反射膜を含み、前記半導体層は、前記基板側に位置する第1導電型の第1クラッド層、前記第1クラッド層上に形成された第1導電型の第1光導波路層、前記第1光導波層上に形成された、量子井戸構造を有する活性層、前記活性層上に形成された第2導電型の第2光導波路層、前記第2光導波路層上に形成された第2導電型の第2クラッド層、および、前記第2クラッド層上に形成されたコンタクト層、を含み、前記活性層は、1mm×1mmの単位領域で、凹凸が基準面に対し±0.1μm以下の範囲にある平坦性を有し、前記電流狭窄層の電流注入領域の幅は100〜250μmであり、かつ、共振器長は500〜1,000μmである、ことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (3件)：
H01S 3/18 ,  G01B 11/00 ,  H01S 3/00
引用特許：
審査官引用 (25件)
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