メサ上に高反射誘電被覆が施された半導体LEDフリップチップ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-134168
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353504
出願日： 2002年05月09日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】基板に対して-10から30度までの間の角度で入射する光のメサ壁での損失を最小限にするLED構造。【解決手段】本発明の一実施形態において、フリップチップLEDのメサ壁上に高反射性の誘電体スタックが形成される。誘電体スタックの層は、基板に対して-10から30度までの範囲の角度で入射する光の反射が最大になるように選択される。誘電体スタックは、低屈折率層と高屈折率層の交互層からなる。いくつかの実施形態において、LEDは、銀を含むpコンタクトを有するIII族窒化物デバイスであり、メサ壁に隣接する誘電体スタック層は、GaNに比べて低い屈折率を有し、低い屈折率の層は、Al2O3である。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の上に重なるn型層と、前記n型層の上に重なる活性領域と、前記活性領域の上に重なるp型層と、前記n型層に結合されたnコンタクトと、銀を含み、前記p型層に結合されたpコンタクトと、を備え、前記nコンタクトと前記pコンタクトがデバイスの同じ側に形成され、前記nコンタクトがメサ壁によって前記pコンタクトから電気的に隔離され、前記メサ壁上に高反射性の誘電体スタックが形成された、ことを特徴とする発光デバイス。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 21/314 , H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/314 M , H01L 21/316 M

Fターム (18件)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041CA74 , 5F041CB11 , 5F041CB15 , 5F041DA03 , 5F041DA04 , 5F041DA09 , 5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BC01 , 5F058BC03 , 5F058BC07 , 5F058BD02 , 5F058BD05 , 5F058BD07

引用特許：

審査官引用 (2件)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-349964 出願人：豊田合成株式会社
白色発光ダイオ-ド
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-223513 出願人：スタンレー電気株式会社

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