特許
J-GLOBAL ID：200903079932277604
単結晶成長方法、その方法により得られるIII族窒化物単結晶およびSiC単結晶
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-062789
公開番号（公開出願番号）：特開2006-240968
出願日： 2005年03月07日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】 気相法によりSiC種結晶上に結晶性のよい単結晶を成長させる単結晶成長方法、その方法により得られるIII族窒化物単結晶およびSiC単結晶を提供する。【解決手段】 気相法により単結晶3を成長させる方法であって、結晶成長室11の内部にSiC種結晶1および原料2を配置し、結晶成長室11の内部に酸素ガスを導入しながら、かつ、結晶成長室11の内部のガスの少なくとも一部を結晶成長室11から排出しながら、SiC種結晶1上に単結晶3を成長させることを特徴とする単結晶成長方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
気相法により単結晶を成長させる方法であって、
結晶成長室の内部にSiC種結晶および原料を配置し、
前記結晶成長室の内部に酸素ガスを導入しながら、かつ、前記結晶成長室内部のガスの少なくとも一部を前記結晶成長室から排出しながら、前記SiC種結晶上に前記単結晶を成長させることを特徴とする単結晶成長方法。
IPC (3件)：
C30B 23/06
, C30B 29/36
, C30B 29/38
C30B23/06
, C30B29/36 A
, C30B29/38 C
, C30B29/38 D
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077BE11
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077DA02
, 4G077EA01
, 4G077EA07
, 4G077ED01
, 4G077ED06
, 4G077EG26
