薄膜トランジスタの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小倉啓七
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2006306307
公開番号（公開出願番号）：WO2006-109565
出願日： 2006年03月28日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：

フェリチンなどタンパク質のコアの金属をシリコン薄膜の結晶化の核として利用し、結晶化した膜を薄膜トランジスタのチャンネル部分に用いる。非結晶シリコンの表面にタンパク質を配列し、熱処理することにより、結晶性を制御する。また、フェリチンの場合、そのタンパク質のコアの直径は7nmであり、大きさすなわち、金属の量が非常にそろっている。従って、タンパク質のコアの密度を制御することにより正確に、非結晶シリコンの表面に堆積すべき量を制御できる。さらに、化学反応によって、コアの金属の種類を変えることができ、非結晶シリコンだけでなくゲルマニウムなどのさまざまな種類の非結晶膜に対応できる。これにより、タンパク質を利用して、結晶化に必要なニッケル量の制御を行い、更に、ニッケルコアの分布密度を調整することにより所望の結晶粒径の結晶化を行う。

請求項（抜粋）：

タンパク質の超分子コアを用いて、これを結晶核として結晶化した膜をチャンネル部分に用いたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (2件)：

H01L21/20 , H01L29/78 627G

Fターム (34件)：

4H045AA30 , 4H045CA40 , 4H045EA45 , 4H045GA40 , 5F110AA17 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110DD02 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG47 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP34 , 5F152AA02 , 5F152AA04 , 5F152AA06 , 5F152BB02 , 5F152CC02 , 5F152CE05 , 5F152CE06 , 5F152CE13 , 5F152CE24 , 5F152CE41 , 5F152CF10 , 5F152CF18 , 5F152CF24 , 5F152CF30 , 5F152EE16 , 5F152FF11 , 5F152FF29

引用特許：

出願人引用 (1件)

アモルファス膜の結晶化方法および薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-173627 出願人：シャープ株式会社

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