特許
J-GLOBAL ID：200903045494845929
アモルファス膜の結晶化方法および薄膜トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-173627
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087242
出願日： 1998年06月19日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 薄膜トランジスタに適切な多結晶膜を低コストで形成する方法を提供する。【解決手段】 アモルファスシリコン膜をアニールして、ガラス基板上に作られた薄膜トランジスタに適切な多結晶膜を生成する方法は、ニッケルを用いて、結晶化を引き起こすことを助けることを含む。この方法はまた、短時間の間、高温でアモルファスシリコンをアニールすることを含む。1工程アニール処理では、アニールの前に、約1×1015イオン/cm2のドーズ量でニッケルイオンをシリコンに注入する。薄いニッケル膜をアモルファスシリコン膜に近接させる2工程アニール処理も提供される。この2工程アニール処理では、第1の低温アニール工程により、これらの膜の一部分をニッケルシリサイドに変える。第2の高温アニール工程では、このシリサイドを用いて、アモルファス膜の結晶化を引き起こす。
請求項（抜粋）：
高電子移動度を有する薄膜トランジスタの形成における、アモルファス膜の結晶化方法であって、(a)第1の膜厚を有するアモルファス膜の層を堆積させる工程と、(b)該アモルファス膜の上に接するように、第2の膜厚を有する遷移金属膜の層を堆積させる工程と、(c)該アモルファス膜のうちで該遷移金属の下にある部分が使われて遷移金属半導体化合物を形成するように、該工程(a)および(b)で堆積された膜をアニールする工程と、(d)高速熱アニールを施して、該アモルファス膜を少なくとも部分的に多結晶膜に変える工程とを包含し、該遷移金属膜が、連続する一方向性の成長フロントで該アモルファス膜の高速結晶化を引き起こす、方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 301 J
, H01L 29/78 627 G
