光学素子、それを使用した面発光レーザ装置及び端面発光型半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-027519
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233888
出願日： 1998年02月09日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】高精度で容易に大量生産することができる光学素子、それを使用した面発光レーザ装置及び端面発光型半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】総計12層の半導体層から構成されており、第1層は厚さが使用される光の波長の、例えば1/6であるGaAs層1から構成されている。第2層は第1層と同じ厚さを有しており、中央部にAlAs層2aが形成され、その周辺部に酸化AlAs層2bが形成されて構成されている。AlAs層2aの屈折率が約3.0であるのに対して酸化AlAs層2bの屈折率は約1.7であり、極めて小さい。また、第3層は、第1層と同様に、GaAs層1から構成されており、第4層は、第2層と同様に、AlAs層2a及び酸化AlAs層2bから構成されている。

請求項（抜粋）：

複数個の半導体層を有し、このうち特定の半導体層は第1の屈折率を有する第1の層と、前記第1の屈折率とは相違する第2の屈折率を有し前記第1の層の側方に設けられた第2の層とを有することを特徴とする光学素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , G02B 5/28

FI (2件)：

H01S 3/18 , G02B 5/28

引用特許：

審査官引用 (7件)

長波長帯面発光レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-320035 出願人：日本電信電話株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-177021 出願人：古河電気工業株式会社
特開昭63-273801

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