特許
J-GLOBAL ID:200903079993530680
垂直に集積された光ポンプを備えたレーザー放射用の長波長垂直キャビティ表面
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石田 敬 (外3名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-530996
公開番号(公開出願番号):特表平10-501927
出願日: 1996年03月11日
公開日(公表日): 1998年02月17日
要約:
【要約】本発明による長波長レーザー放射用垂直キャビティ表面(VCSEL)は、電気ポンピングされたVCSELに光結合され、より短い波長によって光ポンピングされる。下に位置するVCSELの上表面から放射される短波長光は、長波長VCSELの下側ミラーを通って透過される。長波長光は、好ましくは、長波長VCSELの上表面から放射される。2つのVCSELは、好ましくは、透明な光学接着剤、ウェハー融合プロセス、又は金属-金属結合を用いて相互に接合される。
請求項(抜粋):
第1のレーザー放射用垂直キャビティ表面(VCSEL)であって、第1ミラーと第2ミラーの間に介在する長波長活性媒体を有し、第1波長で光を放射する第1VCSEL、及び 電気ポンピングされて第2波長で光を放射する第2VCSELであって、その第2波長はその第1波長よりも短い、第2VCSELを含んでなり、 その第2VCSELがその第1VCSELを光ポンピングする光学デバイス。
IPC (2件):
FI (2件):
引用特許:
審査官引用 (10件)
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半導体レーザ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-000638
出願人:日本電気株式会社
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特開平3-046384
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面形発光素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-020489
出願人:日本電信電話株式会社
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面発光半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-005123
出願人:コニカ株式会社
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特表平5-500736
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特開平4-263485
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半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-123615
出願人:富士通株式会社
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面発光レーザ装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-082175
出願人:三洋電機株式会社
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特表平5-508265
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半導体レーザ素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-071518
出願人:株式会社日立製作所
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