特許
J-GLOBAL ID：200903080047733757
パターン形成方法、グレートーンマスクの製造方法、及びパターンの転写方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
阿仁屋 節雄
, 油井 透
, 清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-003316
公開番号（公開出願番号）：特開2007-256922
出願日： 2007年01月11日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】レジストから生成された異物が、基板や膜に付着することを防止できること。【解決手段】遮光部13と、透光部14と、露光光の透過量を低減するグレートーン部15とを有するグレートーンマスク10の製造方法において、透光性基板16上に、モリブデン及びシリコンを含む半透光膜17、クロムを主成分とする遮光膜18が順次形成されたマスクブランク20を準備する工程と、遮光膜上に第1レジストパターン21を形成する工程と、この第1レジストパターンをマスクにして遮光膜を、クロム用エッチング液を用いてエッチングして遮光膜パターン22を形成する工程と、その後、残存した第1レジストパターン21を剥離する工程と、遮光膜パターンをマスクにして、MoSi用エッチング液を用い半透光膜17をエッチングする工程と、遮光膜パターン22の所望部分以外をエッチングして、グレートーン部及び遮光部を形成する工程とを有するものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成された、金属及びシリコンを含む薄膜をエッチングによりパターニングする工程を含むパターン形成方法において、
上記薄膜上に、当該薄膜のエッチングに対し耐性を有する無機系エッチングマスク層を形成する工程と、
上記無機系エッチングマスク層上に、所望のレジストパターンを形成する工程と、
上記レジストパターンをマスクにして上記無機系エッチングマスク層を、上記薄膜がエッチング耐性を有する無機系エッチングマスク層用エッチング液を用いてエッチングする工程と、
上記無機系エッチングマスク層をエッチングした後に、残存した上記レジストパターンを剥離する工程と、
上記無機系エッチングマスク層をマスクにして、薄膜用エッチング液を用いて上記薄膜をエッチングする工程と、
上記無機系エッチングマスク層の所望部分以外を除去する工程と、
を有することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F1/08 A
, G03F7/20 501
2H095BB15
, 2H095BB28
, 2H095BC05
, 2H095BC24
, 2H097JA02
, 2H097LA12
