特許
J-GLOBAL ID：200903058605178727

ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法

発明者：
須田 秀喜

須田 秀喜 について


出願人/特許権者：
HOYA株式会社

HOYA株式会社 について


代理人 (1件)： 藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-314870
公開番号（公開出願番号）：特開2003-121978
出願日： 2001年10月12日
公開日（公表日）： 2003年04月23日
要約：
【要約】【課題】 ハーフトーン型位相シフトマスクの製造途中において高度な洗浄および/または位相差調整を、半透光膜になんら悪影響を与えることなく行なうことができる製造方法等を提供する。【解決手段】 半透光膜パターンが遮光膜パターンで保護された状態において、アルカリ処理または酸処理すること、またはその両方の処理をすることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
透明基板上に半透光膜および遮光膜を順に形成し、さらに遮光膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記遮光膜をエッチングし遮光膜パターンを形成する工程と、その後、前記レジストパターンおよび前記遮光膜パターンをマスクにして前記半透光膜をエッチングし半透光膜パターンを形成する工程と、その後、前記レジストパターンを剥離する工程と、その後、前記遮光膜パターン上にレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクにして前記遮光膜パターンをエッチングすることにより、最終形状の遮光膜パターンを形成する工程とを有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、前記半透光膜パターンを形成し、前記レジストパターンを剥離した後に、アルカリ処理または酸処理すること、またはその両方の処理をすることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P
Fターム (1件)：
2H095BB03
引用特許：
審査官引用 (4件)
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