特許
J-GLOBAL ID：200903080058284563
磁気インピーダンス効果素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-043613
公開番号（公開出願番号）：特開2001-228229
出願日： 2000年02月16日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：
【要約】【課題】 磁性薄膜の幅方向において、磁性薄膜の両側部のめくれ上がりを抑えることができ、外部磁界検出感度の高い磁気インピーダンス効果素子を提供する。【解決手段】 非磁性体からなる基板2と、この基板2上に設けられた帯状の磁性薄膜3とを備え、基板2に密着する磁性薄膜3の下面3aの幅Waが磁性薄膜3の上面3bの幅Wbよりも大きくなるように、磁性薄膜3の幅方向Bにおいて、磁性薄膜3の両側部の膜厚を磁性薄膜3の中央部の膜厚よりも薄く形成した。
請求項（抜粋）：
非磁性体からなる基板と、この基板上に設けられた帯状の磁性薄膜とを備え、前記基板に密着する前記磁性薄膜の下面の幅が前記磁性薄膜の上面の幅よりも大きくなるように、前記磁性薄膜の幅方向において、前記磁性薄膜の両側部の膜厚を前記磁性薄膜の中央部の膜厚よりも薄く形成したことを特徴とする磁気インピーダンス効果素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01R 33/02 D
, H01L 43/00
2G017AD51
, 2G017AD63
, 2G017AD65
