特許
J-GLOBAL ID:200903080065694351

半導体素子実装基板およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高島 一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-047629
公開番号(公開出願番号):特開平8-250541
出願日: 1995年03月07日
公開日(公表日): 1996年09月27日
要約:
【要約】【目的】 半導体素子の外部電極との接続信頼性に優れる半導体素子実装基板およびその製造方法を提供すること。【構成】 本発明の半導体素子実装基板Sは、厚み方向に少なくとも1個の貫通孔5を有する絶縁性フィルム2と熱接着性樹脂層4との積層物の絶縁性フィルム2面開口部にリード3を有し、かつリード3形成貫通孔に導電性物質による導通路6が形成され、該貫通孔の熱接着性樹脂層4側開口部には半導体素子の外部電極と電気的に接続するための接続端子7が熱接着性樹脂層4表面と同高にまたは熱接着性樹脂層4面から突出して設けられてなるものである。また、本発明の半導体素子実装基板の製造方法は、接続端子を形成する工程を、絶縁性フィルムと熱接着性樹脂層とを積層させる工程よりも後に行うことを特徴とするものである。
請求項(抜粋):
厚み方向に少なくとも1個の貫通孔を有する絶縁性フィルムと熱接着性樹脂層との積層物の絶縁性フィルム面開口部にリードを有し、かつリード形成貫通孔に導電性物質による導通路が形成され、該貫通孔の熱接着性樹脂層側開口部には半導体素子の外部電極と電気的に接続するための接続端子が熱接着性樹脂層表面と同高にまたは熱接着性樹脂層面から突出して設けられてなる半導体素子実装基板。
引用特許:
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る