特許
J-GLOBAL ID：200903080067028014

モールド装置、モールド方法、モールドされた半導体装置の切断方法及び半導体装置の作製方法

発明者：
高尾 大輔

高尾 大輔 について


出願人/特許権者：
アオイ電子株式会社

アオイ電子株式会社 について


代理人 (1件)： 澁谷 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-198201
公開番号（公開出願番号）：特開2000-025074
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 2000年01月25日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の製造工程を簡素化できる半導体素子のモールド装置及びモールドされた半導体装置の切断方法を提供する。【解決手段】 モールドされる複数の半導体素子を切断刃で切断して分離できる間隔をおいて配設した絶縁基板をモールド装置の一つのキャビティ内に収容し、該キャビティ内にモールド材を加熱圧入し、一括してモールドされた複数の半導体装置からなるモールド体25を切断刃50にて個々の半導体装置に切断する。一個のキャビティを有する金型を備えたモールド装置で複数の半導体素子を一括モールドし、このモールド体を回転切断刃で切断するので、モールド装置及び切断装置の構造が簡単になり、半導体装置の製造工程を簡素化できる。
請求項（抜粋）：
モールドされる複数の半導体素子を切断刃で切断して分離できる間隔をおいて配設した絶縁基板を収容し、一括してモールドするキャビティを備えることを特徴とするモールド装置。
IPC (8件)：
B29C 45/26 ,  B26D 1/14 ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/14 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/78 ,  B29L 31:54
FI (7件)：
B29C 45/26 ,  B26D 1/14 Z ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/14 ,  H01L 21/56 T ,  H01L 21/78 F ,  H01L 21/80
Fターム (20件)：
3C027QQ00 ,  4F202AH33 ,  4F202CA12 ,  4F202CB17 ,  4F202CK11 ,  4F202CK89 ,  4F202CS10 ,  4F206AH33 ,  4F206JA02 ,  4F206JB17 ,  4F206JF01 ,  4F206JF23 ,  4F206JQ81 ,  4F206JW23 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061DA01 ,  5F061DA06
引用特許：
審査官引用 (10件)
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