特許
J-GLOBAL ID：200903080076926998
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-112887
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340474
出願日： 1999年04月20日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 低い比抵抗のゲート電極を有し、基板の変形が発生せず、液晶表示装置の信頼性を向上させることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 基板にシリコンの活性層を形成する工程、前記活性層にゲート酸化膜を形成する工程、前記ゲート酸化膜にゲート電極を形成する工程および前記ゲート電極の周りにシリサイド膜を形成する工程を含んでいる。
請求項（抜粋）：
基板にシリコンの活性層を形成する工程、前記活性層にゲート酸化膜を形成する工程、前記ゲート酸化膜にゲート電極を形成する工程、および前記ゲート電極の周りにシリサイド膜を形成する工程を含むことを特徴する薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 617 U
, H01L 29/78 617 A
