特許
J-GLOBAL ID：200903080083933479

半導体装置及びその製造方法

発明者：
松浦 直樹

松浦 直樹 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 徳丸 達雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-146529
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324488
出願日： 2005年05月19日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：
【課題】 容易な不純物濃度や拡散深さの制御によって製造でき、工程が複雑でコストアップとなることが無く、アバランシェ破壊を抑制することのできるトレンチ型半導体装置を提供する。 【解決手段】 トレンチに埋め込まれたゲート電極6を有するトレンチ型半導体装置において、前記トレンチはその開口部11bの幅と等しい幅を有する第1の領域11cと、前記第1の領域11cの下部に配置されて前記開口部11bの幅より大きい幅を有する第2の領域11dとを具備し、前記トレンチに隣接して設けられるベース層2の底面が前記第2の領域11dに隣接して配置され、また、前記第2の領域11dの角部は、曲率半径が0.1μm以上となるように丸く形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
トレンチに埋め込まれたゲート電極を有する半導体装置において、前記トレンチはその開口部の幅と等しい幅を有する第1の領域と、前記第1の領域の下部に配置されて前記開口部の幅より大きい幅を有する第2の領域とを具備し、前記トレンチに隣接して設けられるベース層の底面が前記第2の領域に隣接して配置されることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/41
FI (6件)：
H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/58 G ,  H01L29/44 S ,  H01L29/44 L
Fターム (10件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD24 ,  4M104FF02 ,  4M104FF06 ,  4M104FF27 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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