特許
J-GLOBAL ID：200903080116671041

半導体発光素子

発明者：
狩野 隆司

狩野 隆司 について

, 
林 伸彦

林 伸彦 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-370898
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196194
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 発光層に注入されたキャリアの溢れ出しが防止されかつ発光層の上下方向における光学的な対称性が向上された半導体発光素子を提供することである。【解決手段】 BGaNまたはGaNからなるn-光ガイド層7とBInGaNまたはInGaNからなるn-MQW活性層9との間にBAlGaNまたはAlGaNからなる大きなバンドギャップを有するn-キャリアブロック層8を設ける。n-MQW活性層9とBGaNまたはGaNからなるp-光ガイド層11との間にBAlGaNまたはAlGaNからなる大きなバンドギャップを有するp-キャリアブロック層10を設ける。
請求項（抜粋）：
ホウ素、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも1つを含む窒化物系半導体により形成された半導体発光素子であって、第1のクラッド層、第1の光ガイド層、発光層、第2のクラッド層および第2の光ガイド層をこの順に含み、前記第1の光ガイド層と前記発光層との間に前記第1の光ガイド層よりも大きなバンドギャップを有する第1の層が設けられ、前記第2の光ガイド層と前記発光層との間に前記第2の光ガイド層よりも大きなバンドギャップを有する第2の層が設けられたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 5/323 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 673 ,  H01L 33/00 C
Fターム (21件)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA71 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073EA23 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 3族窒化物半導体レーザ素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-358987   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所, 科学技術振興事業団
  • GaN系発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-311441   出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩, 科学技術振興事業団

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