3族窒化物半導体レーザ素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-358987
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190132
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】3族窒化物半導体にて形成されるSCH構造のレーザ素子の光及びキャリア閉じ込め効果を損なうことなくp層側での結晶成長時間を短くすること。又結晶にクラックが発生することを抑制すること。【解決手段】3族窒化物半導体により形成されるSCH構造のレーザ素子において、クラッド層71をGaN にて、ガイド層62をInGaN にて形成することにより、光及びキャリア閉じ込め効果を損なうことなくp層側での結晶成長時間を短くできた。この結果、活性層5が高熱に晒される時間が短くなったことにより活性層5の結晶性の悪化が少なくなった。さらに、n-クラッド層4も従来のGaN にて形成することにより、従来のAlGaN で形成されたクラッド層よりも厚く成長させてもクラックが発生することがないので、光閉じ込めに十分な厚さまで成長させることができた。

請求項（抜粋）：

3族窒化物半導体により形成され、活性層の両側を活性層よりも禁制帯幅の広いガイド層で挟み、さらに、両側からクラッド層で挟み込み、キャリアの閉じ込めと光の閉じ込めとを分離させたレーザ素子において、前記クラッド層の少なくともp側をGaN にて形成し、前記ガイド層の少なくともp側はInGaN にて形成することを特徴とする3族窒化物半導体レーザ素子

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-016586 出願人：株式会社日立製作所
化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-273392 出願人：株式会社東芝
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-118711 出願人：三井石油化学工業株式会社

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