特許
J-GLOBAL ID：200903080130309096
リッジ型半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-015072
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044564
出願日： 2000年01月24日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 発振レーザ光の水平横モードの制御が向上され、且つ電流しきい値が低減されたリッジ型半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 電流ブロック層18を有するリッジ型半導体レーザ素子において、活性層13の選択された領域の横方向の両端に接する第1の所定の領域16がn型ドーパントを含み、第1の領域16と接する第2の所定の領域17がp型ドーパントを含み、第1及び第2の領域からなるn/p構造により、活性層13の選択された領域の直下に位置する領域に電流を狭窄する。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に設けられた半導体積層構造と、を備えたリッジ型半導体レーザ素子であって、該半導体積層構造は、活性層と、該活性層を挟むように設けられた第1及び第2のクラッド層を含むクラッド構造であって、該第1のクラッド層は、該活性層よりも該基板に近く位置し、該第2のクラッド層の一部が、該活性層の選択された領域の上方にリッジ形状を有する、クラッド構造と、該第2のクラッド層の該リッジ形状が形成されていない領域の上に設けられた、該活性層の該選択された領域に電流を狭窄するための電流ブロック層と、を含み、該半導体積層構造において、該活性層の該選択された領域の横方向の両端に接する第1の所定の領域が第1導電型ドーパントを含み、該第1の領域と接する第2の所定の領域が第2導電型ドーパントを含み、該第1及び第2の領域からなる第1導電型/第2導電型構造により、該半導体積層構造において、該活性層の該選択された領域の直下に位置する領域に該電流を狭窄する、リッジ型半導体レーザ素子。
Fターム (5件)：
5F073AA13
, 5F073CA05
, 5F073DA14
, 5F073EA18
, 5F073EA23
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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