特許
J-GLOBAL ID：200903011673949379
半導体レーザ等のための半導体積層構造及びそのエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-208908
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054844
出願日： 1997年08月04日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 エッチング量の厳密な制御が容易にできる半導体積層構造およびそのエッチング方法を提供する。【解決手段】 エッチング加工によって部分的に除去されるようになっている複数の連続するエッチング予定層18、13b,16,13aの中に、積層方向両側で隣接する2つの層13b,13aとは屈折率が0.2以上異なるエッチング確認層16を含める。屈折率が0.2以上異なることにより、エッチングによって露出する層の種類に応じて露出表面の色調が変化するため、この色調の変化を目視あるいは画像認識法によって観察することにより、エッチングの進行状況をモニターして、エッチング量を制御する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に積層された複数の半導体層を有し、上記複数の半導体層は、エッチング加工によって部分的に除去されるようになっている複数の連続するエッチング予定層を含んでいる半導体積層構造であって、上記エッチング予定層は、積層方向両側で隣接する2つの層とは屈折率が0.2以上異なるエッチング確認層を有することを特徴とする半導体積層構造。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18
, H01L 21/306 U
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
