特許

J-GLOBAL ID：200903080142238275

分子集積回路素子及びその製造方法

発明者： 松本 卓也 ,  川合 知二 ,  桑原 裕司 ,  小川 琢治 ,  松井 真二
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-064264
公開番号（公開出願番号）：特開2003-264326
出願日： 2002年03月08日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：

【要約】【課題】 自己組織化構造を下地の影響を受けずに成長させることができるナノオーダーのフラットな下地を有する分子集積回路素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 自己組織化する分子が配置される0.5nm以下の平坦度を有する基板1表面に1nm以下の絶縁膜2と、金属電極3とを形成し、その上に分子7を配列させるとともに、前記金属電極3と前記分子7の導通はトンネル効果を用いて行うようにした。

請求項（抜粋）：

自己組織化する分子が配置される0.5nm以下の平坦度を有する基板表面に、1nm以下の絶縁膜と金属電極とを形成し、その上に分子を配列させるとともに、前記金属電極と前記分子の導通はトンネル効果を用いて行うことを特徴とする分子集積回路素子。

IPC (3件)：

H01L 51/00 ,  H01L 29/06 601 ,  H01L 29/66

FI (3件)：

H01L 29/06 601 N ,  H01L 29/66 T ,  H01L 29/28

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平1-112775