特許
J-GLOBAL ID：200903080165936930
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-218736
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044215
出願日： 1999年08月02日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 格子不整合を招くことなくΔEg(エミッタ層とベース層のエネルギーギャップの差)を大きく設定することができ、それによって高い電流利得率を得ることのできるヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。【解決手段】 エミッタ層3を中央層3aと上下層3b、3cの3層によって構成し、中央層3aのGa比率を高く設定してΔEgを大きくし、一方、上下層3b、3cのGa比率を中央層3a側からベース層2およびエミッタコンタクト層5側に向けて減少させ、ベース層2およびエミッタコンタクト層5との界面におけるGa比率をこれらの部分に格子不整合が起こらない水準に設定する。
請求項（抜粋）：
InGaPをエミッタ層に使用し、前記エミッタ層に隣接してInGaPと異なる組成の化合物層を形成したヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、前記化合物層と接する部分が前記化合物層と格子整合するGa比率を有し、前記化合物層から離れるにしたがってGa比率を増やしたエミッタ層を有することを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
5F003AP00
, 5F003BB04
, 5F003BE00
, 5F003BE02
, 5F003BE04
, 5F003BE08
, 5F003BE90
, 5F003BF06
, 5F003BM03
, 5F003BP32
