特許
J-GLOBAL ID:200903080188300870

成膜方法及び成膜装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 牧野 剛博 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-033727
公開番号(公開出願番号):特開2002-241926
出願日: 2001年02月09日
公開日(公表日): 2002年08月28日
要約:
【要約】【課題】 広範囲に制御可能な比抵抗を有する酸化亜鉛系の透明導電膜を大面積の基板上に均一に形成すること。【解決手段】 ZnOを主成分としAl2O3等の3族元素を含有する膜材料粒子が高効率でイオン化し、膜中に最適な運動エネルギーで打ち込まれるので、Al等の3族不純物元素の表面マイグレーションが促進され、他の方法に比べてより均一に不純物元素を分散させることできる。この結果、適切な不純物制御が行ないやすくなり、理論的な予測に基づく物質合成ができ、低比抵抗の酸化亜鉛系の透明導電幕が合成できる。さらにこの時、酸素ガスと窒素ガスの雰囲気圧を適切に制御しながら成膜することで、比抵抗で2μΩmから無限大まで幅広く膜質を調整することが可能となった。
請求項(抜粋):
成膜室中に陽極として配置された材料蒸発源に向けてプラズマビームを供給することによって前記材料蒸発源の膜材料を蒸発させて成膜室中に配置された基板の表面に付着させる成膜方法であって、前記膜材料は、酸化亜鉛を主成分とし、3族元素ないしは3族元素の酸化物を添加したものであることを特徴とする成膜方法。
IPC (5件):
C23C 14/08 ,  C23C 14/32 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301
FI (5件):
C23C 14/08 C ,  C23C 14/32 H ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/285 B ,  H01L 21/285 301 Z
Fターム (11件):
2H092HA03 ,  2H092KB14 ,  2H092MA05 ,  2H092NA28 ,  4K029BA49 ,  4K029BC09 ,  4K029CA04 ,  4K029DD05 ,  4M104BB36 ,  4M104DD34 ,  4M104HH16
引用特許:
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る