半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井内龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-205898
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111405
出願日： 1995年08月11日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】【課題】 SiN膜14/ポリシリコン膜13/SiO2 膜12の3層構造において、SiN/ポリシリコンの選択比を高くとることができるガス種を用いてSiN膜14のエッチングを行う工程を含んだ半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 SiN膜14をエッチングする際、CF4 、02 系の混合ガスまたはさらに不活性ガスを加えた混合ガスでSiN膜14の膜厚相当までエッチングした後、CF4 、CHF3 系の混合ガスまたはさらに不活性ガスを加えた混合ガスでオ-バ-エッチングを行ってSiNマスク14aを形成する。

請求項（抜粋）：

基板上にSiO2 膜、ポリシリコン膜、およびSiN膜を順次成膜し、該SiN膜上にレジストパターンを形成した後、前記SiN膜をエッチングする際に、CF4 、CHF3 の混合ガスまたはさらに不活性ガスを加えた混合ガスを用いる工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/76 , H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/302 F , H01L 21/76 M , H01L 21/94 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

ドライエッチング終点検出方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-020250 出願人：シャープ株式会社
特開平4-267336
特開昭60-115231

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