特許

J-GLOBAL ID：200903080210955061

スイッチング素子、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子

発明者： 阪本 利司 ,  川浦 久雄 ,  砂村 潤
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-204971
公開番号（公開出願番号）：特開2006-339667
出願日： 2006年07月27日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：

【課題】高集積化可能で、電源を切ってもオン状態およびオフ状態のうちいずれか一方の状態を保持し、オン状態での抵抗値が低く、さらに上記いずれか一方の状態に再プログラムが可能なスイッチング素子を提供する。【解決手段】電気化学反応に用いられる金属イオンが伝導するためのイオン伝導体14と、イオン伝導体14に接して、所定の距離だけ離れて設けられたソース電極11およびドレイン電極12と、オン状態に遷移させる電圧が印加されるとソース電極11およびドレイン電極12の間に金属イオンによる金属を析出させてソース電極11およびドレイン電極12を電気的に接続し、オフ状態に遷移させる電圧が印加されると析出した金属を溶解させてソース電極11およびドレイン電極12の電気的接続を切るための、イオン伝導体14に接して設けられたゲート電極13とを有する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

電気化学反応を利用したスイッチング素子であって、 前記電気化学反応に用いられる金属イオンが伝導するためのイオン伝導体と、 前記イオン伝導体に接して、所定の距離だけ離れて設けられたソース電極およびドレイン電極と、 前記スイッチング素子をオン状態に遷移させる電圧が印加されると前記ソース電極およびドレイン電極の間に前記金属イオンによる金属を析出させて前記ソース電極およびドレイン電極を電気的に接続し、前記スイッチング素子をオフ状態に遷移させる電圧が印加されると前記析出した金属を溶解させて該ソース電極およびドレイン電極の電気的接続を切るための、前記イオン伝導体に接して設けられたゲート電極と、 を有するスイッチング素子。

IPC (4件)：

H01L 49/00 ,  H01L 45/00 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/82

FI (5件)：

H01L49/00 Z ,  H01L45/00 Z ,  H01L27/10 451 ,  H01L21/82 A ,  H01L45/00 A

Fターム (17件)：

5F064AA08 ,  5F064BB12 ,  5F064BB37 ,  5F064CC06 ,  5F064CC25 ,  5F064FF04 ,  5F064FF36 ,  5F064FF46 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA02 ,  5F083GA09 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 米国特許第5070384号明細書
  
• 米国特許第5387812号明細書
  
• 米国特許第4203158号明細書
  
• アンチフューズ素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-212460   出願人：株式会社東芝
• 実開平2-91133号公報
  
• 米国特許第6348365号明細書
  

審査官引用 (2件)

• ポイントコンタクト・アレー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-334686   出願人：科学技術振興事業団, 理化学研究所
• コンダクタンスの制御が可能な電子素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-265344   出願人：科学技術振興事業団, 理化学研究所