特許
J-GLOBAL ID：200903080212522294

レジスト保護膜形成用材料、およびこれを用いたレジストパターン形成方法

発明者：
遠藤 浩太郎

遠藤 浩太郎 について

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吉田 正昭

吉田 正昭 について

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石塚 啓太

石塚 啓太 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-228695
公開番号（公開出願番号）：特開2006-064711
出願日： 2004年08月04日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】液浸露光プロセスにおいて、水を始めとした各種浸漬液を用いた液浸露光中のレジスト膜の変質および使用浸漬液の変質を同時に防止し、かつ処理工程数の増加を来すことなく、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする。さらにより高屈折率な液浸媒体にも適用可能であり、そのような高屈折率液浸媒体との同時使用によりパターン精度のさらなる向上をもたらすことを可能とする。【解決手段】レジスト膜を浸漬させる液体、特に水に対して実質的に相溶性を持たず、かつアルカリに可溶である特性を有するアクリル系樹脂成分を含有してなる組成物を用いて使用するレジスト膜の表面に保護膜を形成する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
レジスト膜の上層保護膜を形成するための材料であって、 アクリル系ポリマーと溶剤とを少なくとも含有してなり、かつアルカリ可溶性であることを特徴とするレジスト保護膜形成用材料。
IPC (5件)：
G03F 7/11 ,  C08F 220/04 ,  C08F 220/16 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F7/11 501 ,  C08F220/04 ,  C08F220/16 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 575
Fターム (27件)：
2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB28 ,  2H025CB33 ,  2H025CB45 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  4J100AJ02P ,  4J100AL03S ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BC04R ,  4J100BC07Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38 ,  5F046JA22
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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