特許
J-GLOBAL ID：200903080228624810
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 宜喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-128121
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323713
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 薄膜トランジスタの製造時にレーザー照射により不純物を活性化させる工程で、ゲート電極へのレーザー照射による熱ダメージを低減すること。【解決手段】 薄膜トランジスタのゲート絶縁膜14となる第1の絶縁膜を形成するとき、その屈折率をn1 、膜厚をd1 とする。次にゲート絶縁膜14にゲート電極15を形成する。そして第1の絶縁膜及びゲート電極を被覆するように第2の絶縁膜となる層間絶縁膜16を形成し、屈折率をn1 、膜厚をd2 とする。第2の絶縁膜の形成後に波長λのレーザーを照射し、不純物の活性化処理をする。このとき、第1及び第2の絶縁膜の膜厚(d1 +d2 )がレーザー波長λに対して反射防止膜となる条件を満足し、かつゲート電極上の層間絶縁膜16に対しては反射膜とするように膜厚d1 ,d2 を制御する。
請求項（抜粋）：
透光性基板上に絶縁膜を成膜し、バッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に非単結晶半導体薄膜を形成する工程と、前記非単晶質半導体薄膜上にゲート絶縁膜として屈折率n<SB>1</SB> 、膜厚d<SB>1</SB> を有する第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の形成後に前記非単結晶半導体薄膜中に不純物を注入する工程と、前記第1の絶縁膜及び前記ゲート電極を被覆するように屈折率n<SB>1</SB> 、膜厚d<SB>2</SB>を有する第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜の形成後に波長λのレーザー照射を行い、注入された前記不純物を活性化する工程と、を有し、前記第2の絶縁膜の膜厚d<SB>2</SB> が(1)式を満足し、2*m*λ/(4*n<SB>1</SB> )-λ/(n<SB>1</SB> *8)<d<SB>2</SB> 、2*m*λ/(4*n<SB>1</SB> ) +λ/(n<SB>1</SB> *8)>d<SB>2</SB>(m=1, 2, 3・・・)・・・(1)かつ前記第1及び第2の絶縁膜の膜厚の和(d<SB>1</SB> +d<SB>2</SB> )が、(2)式を満足し、 (2*m-1)*λ/(4*n<SB>1</SB> ) -λ/(n<SB>1</SB> *8)<d<SB>1</SB> +d<SB>2</SB> 、 (2*m-1)*λ/(4*n<SB>1</SB> )+λ/(n<SB>1</SB> *8)>d<SB>1</SB> +d<SB>2</SB> (m=1, 2, 3・・・)・・・(2)前記ゲート電極の部分では前記レーザー光が反射され、前記ゲート電極以外の部分では前記レーザー光が吸収されるようにしたことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/265
H01L 29/78 616 L
, H01L 21/265 602 C
, H01L 29/78 617 S
, H01L 29/78 619 A
5F110AA14
, 5F110AA17
, 5F110AA23
, 5F110BB01
, 5F110CC02
, 5F110DD02
, 5F110DD13
, 5F110DD24
, 5F110EE03
, 5F110FF02
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG45
, 5F110HJ01
, 5F110HJ13
, 5F110HJ23
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL11
, 5F110HM15
, 5F110NN02
, 5F110NN04
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110PP03
, 5F110PP04
, 5F110PP35
, 5F110QQ24
