特許
J-GLOBAL ID：200903080242637827

プラズマ処理方法

発明者：
長坂 光明

長坂 光明 について

, 
菊地 純

菊地 純 について

, 
藤村 修三

藤村 修三 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-265570
公開番号（公開出願番号）：特開平9-106977
出願日： 1995年10月13日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：
【要約】【課題】 プラズマ処理方法に関し、シリコンなどの被処理物の表面の酸化を促進したり抑制したりして、表面に不具合な損傷を与えずに酸化と酸化膜の除去を同時に進行させる。【解決手段】 水素+水蒸気プラズマダウンフローにNF3 を添加する処理装置10によって、被処理物9の温度を30ないし40°Cに保つか、あるいは水素に添加する水蒸気の添加量を2ないし7%にすることによって、シリコンなどの被処理物の表面の酸化を促進させたり抑制したりするように処理方法を構成する。
請求項（抜粋）：
水素と、少なくとも一つの酸素原子を含む分子とを少なくとも含む混合ガスからなるプラズマダウンフローに、少なくともふっ素を含むガスを添加し、該プラズマダウンフローの下流で被処理物を処理するプラズマ処理方法において、ダウンフロー処理を行う前に被処理物の温度を上げて処理を開始する第1の工程と、次いで、該被処理物の温度を下げる第2の工程とを含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
H01L 21/302 N ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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