特許
J-GLOBAL ID：200903080258684000
半導体装置の製造装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-005549
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235626
出願日： 2004年01月13日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】半導体素子の特性劣化、不良及び抗折強度の低下などを抑制できる半導体装置の製造装置を提供する。【解決手段】半導体ウェーハ21における素子形成面21Aの裏面21B側に、ダメージ形成手段により個々の半導体素子に分割するための起点となるダメージ層24-1,24-2,24-3,...を形成する。このダメージ層を起点にして、分割手段で半導体ウェーハを個々の半導体素子に分割する。そして、この半導体ウェーハの裏面を、除去手段で少なくともダメージ層が存在しなくなる深さまで除去することを特徴とする。破棄される領域に形成したダメージ層を起点にしてウェーハを分割した後、裏面研削で除去してしまうので、形成された半導体素子には側面に切削条痕が残らずダメージを最小限にできる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハにおける素子形成面の裏面側に、個々の半導体素子に分割するための起点となるダメージ層を形成するダメージ形成手段と、
前記ダメージ層を起点にして前記半導体ウェーハを個々の半導体素子に分割する分割手段と、
前記半導体ウェーハの裏面を、少なくとも前記ダメージ層が存在しなくなる深さまで除去する除去手段と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L21/78 Q
, H01L21/304 631
, H01L21/78 M
, H01L21/78 F
出願人引用 (2件)
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特公平5-54262号公報
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レーザ加工方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-277163
出願人：浜松ホトニクス株式会社
審査官引用 (3件)
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