特許
J-GLOBAL ID：200903082084362206
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-010908
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208446
出願日： 1999年01月19日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】本発明はテープにウェーハを張り付けた状態でグラインディング(研削)を行なう半導体装置の製造方法及び半導体製造装置に関し、製造歩留り及びスループットの向上を図ることを課題とする。【解決手段】紫外線照射を行なうことにより伸長可能とされた伸長テープ23にウェハー20を貼り付けるテープ貼り付け工程(ステップ30)と、個片化された半導体チップを形成するためにウェーハ10をフルダイシングするダイシング工程(ステップ31)と、このダイシング工程が終了した後に伸長テープ23に紫外線照射することにより伸長テープ23を伸長させるテープ伸長工程(ステップ32)と、テープ伸長工程が終了した後に伸長テープ23にウェーハ20の背面を研削するグラインディング工程(ステップ33)とを有する。
請求項（抜粋）：
物理的な処理を行なうことにより伸長可能とされたテープにウェハーを貼り付ける貼り付け工程と、個片化された半導体チップを形成するため、前記ウェーハをフルダイシングするダイシング工程と、前記ダイシング工程が終了した後、前記テープに物理的処理を実施することにより該テープを伸長させるテープ伸長工程と、前記テープ伸長工程が終了した後、前記テープに前記ウェーハが貼り付けられた状態で、前記ウェーハの背面を研削する研削工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/78 M
, H01L 21/68 N
5F031HA13
, 5F031JA06
, 5F031JA22
, 5F031MA22
, 5F031MA34
, 5F031MA37
, 5F031MA38
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)
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