特許
J-GLOBAL ID：200903080287035410
薄膜エレクトロルミネッセンス素子の製造方法と装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-005286
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199676
出願日： 1997年01月16日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 不純物の少ない高品質なアルカリ土類チオガレートEL薄膜(青色または緑色発光)を提供する。【解決手段】 第1絶縁層(24)と第2絶縁層(26)により挟まれた発光層(25)からなる薄膜積層体を、透明な基板上(22)に積層するため少なくとも一方が透明な下部電極(23)と上部電極(27)との間に挟持する構造の交流駆動型の薄膜エレクトロルミネッセンス素子を製造するにあたり、前記発光層(25)を少なくとも1種の有機金属材料と少なくとも2種の固体無機材料と硫化水素ガスとを原料とし、分子線エピタキシャル法により製造する。
請求項（抜粋）：
第1絶縁層と第2絶縁層により挟まれた発光層からなる薄膜積層体を、透明な基板上に積層するため少なくとも一方が透明な下部電極と上部電極との間に挟持する構造の交流駆動型の薄膜エレクトロルミネッセンス素子を製造するにあたり、前記発光層を少なくとも1種の有機金属材料と少なくとも2種の固体無機材料と硫化水素ガスとを原料とし、分子線エピタキシャル法により製造することを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
IPC (6件)：
H05B 33/10
, C09K 11/00
, C09K 11/02
, C09K 11/62 CPC
, H05B 33/14
, H05B 33/22
H05B 33/10
, C09K 11/00 A
, C09K 11/02 A
, C09K 11/62 CPC
, H05B 33/14
, H05B 33/22
