特許
J-GLOBAL ID:200903052395265089

エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊藤 洋二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-095216
公開番号(公開出願番号):特開平8-293385
出願日: 1995年04月20日
公開日(公表日): 1996年11月05日
要約:
【要約】【目的】 発光中心を添加したCa2 GaS4 のような3元系化合物で構成された発光層を有するエレクトロルミネッセンス素子において、高輝度化を図る。【構成】 ガラス基板11上に、第1電極12、第1絶縁層13、発光層14、ZnSキャップ層15、第2絶縁層16及び第2電極17を有してエレクトロルミネッセンス素子が構成されており、発光層14が、発光中心としてCeを添加したCa2 GaS4 から構成されており、この発光層14中の酸素濃度を0.5at%以下とした。
請求項(抜粋):
基板上に、第1電極、第1絶縁層、発光層、第2絶縁層及び第2電極が積層形成され、少なくとも前記発光層からの光取り出し側を光学的に透明としたエレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層が、発光中心を添加したIIa -IIIb-VIb (Oを除く)族化合物で構成されており、かつ前記発光層中の酸素濃度が、0.5at%以下であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
IPC (2件):
H05B 33/14 ,  H05B 33/10
FI (2件):
H05B 33/14 ,  H05B 33/10
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (7件)
  • 特開平4-121992
  • 特開平4-121992
  • 特開平4-366593
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