特許
J-GLOBAL ID：200903080334261157

ダイヤモンド薄膜又はCBN、BCN若しくはCN薄膜、同薄膜の改質方法、同薄膜の改質及び形成方法並びに同薄膜の加工方法

発明者：
三宅 正司

三宅 正司 について

, 
武田 修一

武田 修一 について


出願人/特許権者：
有限会社アプライドダイヤモンド

有限会社アプライドダイヤモンド について


代理人 (1件)： 小越 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-018187
公開番号（公開出願番号）：特開2000-219597
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2000年08月08日
要約：
【要約】【課題】 基板に形成した気相ダイヤモンド等の薄膜、基板を除去した自立ダイヤモンド等の薄膜(箔又は板)等に存在する歪み、欠陥、色などを効果的に除去又は減少させ、あるいは配向性多結晶又は単結晶体へと改質したダイヤモンド等の薄膜を安定的にかつ再現性よく得る。【解決手段】 ダイヤモンド薄膜又はCBN、BCN若しくはCN薄膜の膜厚方向に沿って、0.1μm以上のラマン分光法で評価したダイヤモンドスペクトルの半価幅がほぼ一定である改質された膜厚み領域を有し、その半価幅は膜厚み残部の同最大半価幅の85%以下であることを特徴とするダイヤモンド、CBN、BCN又はCN薄膜。
請求項（抜粋）：
ダイヤモンド薄膜又はCBN、BCN若しくはCN薄膜の膜厚方向に沿って、0.1μm以上のラマン分光法で評価したダイヤモンド等のスペクトルの半価幅がほぼ一定である改質された膜厚み領域を有し、その半価幅は膜厚み残部の同最大半価幅の85%以下であることを特徴とするダイヤモンド、CBN、BCN又はCN薄膜。
IPC (2件)：
C30B 29/04 ,  C01B 21/082
FI (2件)：
C30B 29/04 D ,  C01B 21/082 K
Fターム (22件)：
4G077AA03 ,  4G077AB10 ,  4G077BA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE12 ,  4G077BE18 ,  4G077DB18 ,  4G077DB19 ,  4G077DB23 ,  4G077EH10 ,  4G077FE02 ,  4G077FE06 ,  4G077FE11 ,  4G077FE15 ,  4G077FH05 ,  4G077FJ06 ,  4G077FJ07 ,  4G077HA01 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077HA13 ,  4G077HA20
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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