特許

J-GLOBAL ID：200903080334295515

半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法及びフラッシュメモリ素子の電極形成方法

発明者： 禹 相 浩 ,  林 性 洙 ,  韓 一 根
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 中川 周吉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-314734
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275902
出願日： 1997年11月17日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】 本発明は半導体素子の電極形成方法を提供するものであり、狭いセル面積内において充分な電荷貯蔵容量を確保することにその目的がある。【解決手段】 電極表面にシリコンシードを形成した後、成長させて電極表面に凹凸構造を形成することによって電極の表面積を増加させることができる。

請求項（抜粋）：

半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法において、シリコン基板上に形成された絶縁膜を蝕刻してコンタクトホールを形成する段階と、コンタクトホール及び絶縁膜を包含した全体構造上部に非晶質シリコン層を形成した後、パターニングして電荷貯蔵電極を形成する段階と、前記電荷貯蔵電極表面に形成された自然酸化膜を除去する段階と、前記電荷貯蔵電極表面にシリコンシードを選択的に形成する段階と、熱処理工程を実施して前記シリコンシードを成長させ、前記電荷貯蔵電極表面に半球形凹凸構造を形成する段階からなることを特徴とする半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法。

IPC (8件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-154896   出願人：日本電気株式会社
• 多結晶シリコン膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-319781   出願人：ソニー株式会社