半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-308687
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199988
出願日： 1997年11月11日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】出力特性や熱特性がほぼ同等でかつ互いの信号の影響を受けない複数の半導体素子を共通の半導体基板上に設けた半導体装置を提供する。【解決手段】共通の半導体基板3上に形成された2つのバイポーラトランジスタ1,2は、分離帯7によって分離されている。分離帯7は、バイポーラトランジスタ1,2の各ベース領域12,22と同じ導電型で略同等の不純物濃度と拡散深さとを有する第1分離部8と、該第1分離部8の両側に形成され各エミッタ領域13,23と同じ導電型で略同等の不純物濃度と拡散深さとを有する第2分離部9とにより構成されている。第2分離部9は第1分離部8よりも浅く形成されており、基板奥方の第1分離部8とコレクタ領域11,21とに跨っている。第2分離部9により各トランジスタの周囲を取り囲み、第1分離部8によって各トランジスタ間を分断する構造となっている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板の一部に形成された2つの半導体素子及び該2つの半導体素子間を電気的に分離するための分離帯とを有する半導体装置であって、上記分離帯は、第1導電型の第1の半導体領域と、上記第1の半導体領域に隣接して形成され、上記第1の半導体領域よりも浅い第2導電型の第2の半導体領域とにより構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8222 , H01L 27/082 , H01L 21/761 , H01L 21/331 , H01L 29/73

FI (3件)：

H01L 27/08 101 B , H01L 21/76 J , H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭47-027685
特開昭54-088091
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-211588 出願人：松下電子工業株式会社

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